国外集成电路命名方法(一)--电子技术资料

国外集成电路命名方法(一)

国外集成电路命名方法(电路系列缩写符号,介绍了国外集成电路命名方法)

器件型号举例说明 ( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)

29L509

AMD首标

器件编号

封装形式

温度范围

分类

"L"：低功耗；

D：铜焊双列直插

C：商用温度，

没有标志的

"S"：肖特基；

（多层陶瓷）；

（0-70）℃或

为标准加工

"LS"：低功耗肖特基；

L：无引线芯片载体：

（0-75）℃；

产品，标有

21：MOS存储器；

P：塑料双列直插；

M：军用温度，

"B"的为已

25：中规范（MSI）；

E：扁平封装（陶瓷扁平）；

（-55-125）℃；

老化产品。

26：计算机接口；

X：管芯；

H：商用，

27：双极存储器或EPROM ；

A：塑料球栅阵列；

（0-110）℃；

28：MOS存储器理；

B：塑料芯片载体

I：工业用，

29：双极微处理器；

C、D：密封双列；

（-40～85 ）℃；

54/74：同25；

E：薄的小引线封装；

N：工业用，

60、61、66：模拟，双极；

G：陶瓷针栅陈列；

（-25～85）℃；

79：电信；

Z、Y、U、K、H：塑料

K：特殊军用，

80：MOS微处理器；

四面引线扁平；

（-30～125）℃；

81、82：MOS和双极处围电路；

J：塑料芯片载体（PLCC）；

L：限制军用，

90：MOS；

L：陶瓷芯片载体（LCC）；

（-55-85）℃＜

91：MOS RAM：

V、M：薄的四面

125℃。

92：MOS；

引线扁平；

93：双极逻辑存储器

P、R：塑料双列；

94：MOS；

S：塑料小引线封装；

95：MOS外围电路；

W：晶片；

1004：ECL存储器；

也用别的厂家的符号：

104：ECL存储器；

P：塑料双列；

PAL：可编程逻辑陈列；

NS、N：塑料双列；

98：EEPROM；

JS、J：密封双列；

99：CMOS存储器。

W：扁平；

R：陶瓷芯片载体；

A：陶瓷针栅陈列；

NG：塑料四面引线扁平；

Q、QS：陶瓷双列。

器件型号举例说明( 缩写字符：ANA 译名：模拟器件公司（美）)

AD	644	A	S	H	/883B
ANA首标	器件	附加说明	温度范围	封装形式	筛选水平
AD：模拟器件	编号	A：第二代产品；	I、J、K、L、M：	D：陶瓷或金属气	MIL-STD-
HA：混合		DI：介质隔离产	（0-70）℃；	密双列封装	883B级。
A/D；		品；	A、B、C：	（多层陶瓷）；
HD：混合		Z：工作在+12V	（-25-85）℃；	E：芯片载体；
D/A。		的产品。（E：ECL）	S、T、U：	F：陶瓷扁平；
			（-55-125）℃。	G：PGA封装
				（针栅阵列）；
				H：金属圆壳气
				密封装；
				M：金属壳双列
				密封计算机部件；
				N：塑料双列直插；
				Q：陶瓷浸渍双列
				（黑陶瓷）；
				CHIPS：单片的芯片。
同时采用其它厂家编号出厂产品。

通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)

ADC	803	X	X	X	X
首标	器件编号	通用资料	温度范围	封装	筛选水平
		A：:改进参数性能；	J、K、L：	M：铜焊的金属壳封装；	Q：高可
		L：自销型；	（0-70）℃；	L：陶瓷芯片载体；	靠产品；
		Z：+ 12V电源工作；	A、B、C：	N：塑料芯片载体；	/QM：
		HT：宽温度范围。	（-25-85）℃；	P：塑封（双列）；	MIL
			R、S、T、V：	H：铜焊的陶瓷封装	STD
			（-55-125）℃。	（双列）；	883产品。
				G：普通陶瓷（双列）；
				U：小引线封装。

模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)

-	--	X	X	X
首标	器件编号	温度范围	封装	筛选水平
		H、J、K、L：	M：铜焊金属壳封装；	Q：高可靠产品；
		（0-70）℃；	P：塑封；	/QM：MIL-STD-
		A、B、C：（-25-85）℃；	G：陶瓷。	883产品。
		R、S、T、V：
		（-55-125）℃。
军用器件产品型号举例说明（放大器/多路转换器/ADC/VFC）
OPA	105	X	M	/XXX
首标	器件编号	温度范围	封装	高可靠性等级
		V：（-55-125）℃；	M：金属的；	MIL-STD-883B。
		U：（-25-85）℃；	L：芯片载体。
		W：（-55-125）℃。
DAC的型号举例说明
DAC	87	X	XXX	X	/XXX
首标	器件编号	温度范围	输入代码	输出	MIL-STD-883B表示
		V:(-55-125)℃；	CBI：互补二进制	V：电压输出；
		U：（-25-85）℃。	输入；	I：电流输出。
			COB：互补余码补偿
			二进制输入；
			CSB：互补直接二进制
			输入；
			CTC：互补的两余码
			输入。
首标的意义：
放大器			转换器	ADC：A/D转换器；
	OPA：运算放大器；			ADS：有采样/保持的A/D转换器；
	INA：仪用放大器；			DAC：D/A转换器；
	PGA：可编程控增益放大器；			MPC：多路转换器；
	ISO：隔离放大器。			PCM：音频和数字信号处理的
				A/D和D/A转换器。
模拟函数	MFC：多功能转换器；			SDM：系统数据模块；
	MPY：乘法器；			SHC：采样/保持电路。
	DIV：除法器；
	LOG：对数放大器。		混杂电路	PWS：电源（DC/DC转换器）；
				PWR：电源（同上）；
频率产品	VFC：电压-频率转换器；			REF：基准电压源；
	UAF：通用有源滤波器。			XTR：发射机；
				RCV：接收机。

器件型号举例说明( 缩写字符：CYSC 译名：丝柏（CYPRESS）半导体有限公司 )

CY	7C128	-45	C	M	B
首标	系列及	速度	封装	温度范围	加工
	器件编号		B：塑料针栅阵列；	C：（0-70）℃；	B：高可靠。
			D：陶瓷双列；	L：（-40-85）℃ ；
			F：扁平；	M：（-55-125）℃。
			G：针栅阵列（PGA）；
			H：密封的LCC（芯片载体）；
			J：PLCC（密封芯片载体）；
			K：CERPAK；
			L：LCC；
			P：塑封；
			Q：LCC；
			R：PGA ；
			S：小引线封装（SOIC）；
			T：CERPAK；
			V：SOJ ；
			W：CERDIP（陶瓷双列）；
			X：小方块（dice）；
			HD：密封双列；
			HV：密封直立双列；
			PF：塑料扁平单列(SIP) ；
			PS：塑料单列（SIP）；
			PZ：塑料ZIP。

缩写字符：FSC 译名：仙童公司（美）

μA	741	T	C
FSC首标	器件	封装形式	温度范围
F：仙童（快捷）电路	编号	D：密封陶瓷双列封装	C：商用温度（0-70/75）℃；
SH：混合电路；		（多层陶瓷双列）；	[CMOS：（-40-85）℃]
μA：线性电路。		E：塑料圆壳；	M：军用温度（-55-125）
		F：密封扁平封装（陶瓷扁平）；	L：MOS电路（-55-85）℃；
		H：金属圆壳封装；	混合电路（-20-85）℃；
		J：铜焊双列封装（TO-66）；	V：工业用温度（-20-85）℃，
		K：金属功率封装（TO-3）	（-40-85）℃ 。
		（金属菱形）；
		P：塑料双列直插封装；
		R：密封陶瓷8线双列封装；
		S：混合电路金属封装（陶瓷
		双列，F6800系列）；
		T：塑料8线双列直插封装；
		U：塑料功率封装（TO-220）；
		U1：塑料功率封装；
		W：塑封（TO-92）；
		SP：细长的塑料双列；
		SD：细长的陶瓷双列；
		L：陶瓷芯片载体；
		Q：塑料芯片载体；
		S：小引线封装（SOIC）。

该公司与NSC合作，专门生产数字集成电路。除原有的54/74TTL、HTTL、STTL、LSTTL、ASTTL、ALSTTL、FAST等外，还有CMOS的FACT，内含54/74AC、ACT、ACQ、ACTQ、FCT等系列。

缩写字符：HAS 译名：哈里斯公司（美）萨克

H	M	1	6508	B	2
HAS	系列	封装	器件	种类/产品	温度范围
音标	A：模拟电路；	0：芯片	编号	等级种类:	1:(-55-200)℃；
	C：通信电路；	1：陶瓷双列;		COMS:	2:(-55-125) ℃；
	D：数字电路；	1B：铜焊的陶瓷双列；		A:10V类;	4:（-25-85）℃；
	F：滤波器；	2：金属圆壳(TO-5);		B:高速-低功耗;	5：（0-75）℃；
	I：接口电路；	3：环氧树脂双列;		D:商用的; 没标	6：100%25℃抽测
	M：存储器；	4：芯片载体;		的为一般产品。	（小批）；
	V：高压模拟电路；	4P：塑料芯片载体；		双极:	7：表示"5"温度范围
	PL：可编程逻辑；	5：LCC混合电路		A:再设计,双金属的	的高可靠产品；
	Y：多片组合电路。	(陶瓷衬底);		P:有功率降额选择的;	8：MIL-STD-883B产品；
		7：小型陶瓷双列；		R:锁定输出的;	9：（-40-85）℃；
		9：扁平封装。		RP:有功率降额限	9+：（-40-85）℃，
				制的锁定输出	已老化产品；
				没标的为一般产品.	RH：抗辐射产品。
				产品等级:
				A:高速;
				B:甚高速;
				没标的为一般速度.
部分器件编号：
0×××：二极管矩阵；		61××：微处理器；		63××：CMOS ROM；	64××：CMOS接口；
65××：CMOS RAM；		66××；CMOS PROM；		67××：COMS EPROM；	76××；双极 PROM；
77××：可编程逻辑。

80C86系列型号举例说明

M	D	82C59A	S	/B
温度	封装	器件	速度（MHz）	高可靠产品
C：商用（0-70）℃；	P：塑封；	编号	外围电路：	B：已老化，8次冲击的
I：工业用（-40-85）℃；	D：陶瓷双列；		5：5MHz；	+：已老化，
M：军用（-55-125）℃；	X：芯片；		空白：8MHz；	工业温度等级；
X：25℃ 。	R：芯片载体（陶瓷）；		CPU电路：	/883：（-55-125）℃；
	S ：塑料芯片载体。		空白：5MHz；	MIL-STD-883产品。
			2：8MHz。
微波电路产品的通用符号系列：
系列：		封装：
A：放大器（GaAsFET）；		1：32线金属密封扁平封装；
D:数字电路（GaAs）；		2：16线金属密封扁平封装；
F:FET(GaAs)；		3：48线金属密封扁平封装
M:单片微波集成电路；
P：高功率FET（GaAs）；
R：模拟电路（GaAs）；

同时生产其它厂家相同型号的产品。

电路系列缩写符号

缩写字符：INL 译名：英特希尔公司（美）

器件型号举例说明

ICL	8038	C	C	P	D
器件系列	器件编号	电	温度范围	封装	外引线数符号
D：混合驱动器；	存储器件	特	（除D、DG、G外）	A：TO-237；	A：8；
G：混合多路FET；	命名法	性	M：（-55~125）℃	B：塑料扁平封装	B：10；
ICL：线性电路；	首位数表示：		I：（-20~85）℃；	C：TO-220；	C：12；
ICM：钟表电路；	6：CMOS工艺；		C：（0~70）℃ 。	D：陶瓷双列；	D：14；
IH：混合/模拟门；	7：MOS工艺；		D、DG、G的温度	E：小型TO-8；	E：16；
IM：存储器；	第二位数表示：		范围：	F：陶瓷扁平封装	F：22；
AD：模拟器件；	1：处理单元；		A：（-55~125）℃	H：TO~66；I：16	G：24；
DG：模拟开关；	3：ROM；		B：（-20~85）℃；	线（跨距为0.6"X0.7")	H：42；
DGM：单片模拟开关；	4：接口单元；		C：（0~70）℃。	密封混合双列；	I：28；
ICH：混合电路；	5：RAM；			J：陶瓷浸渍双列	J：32；
LH：混合IC；	6：PROM；			（黑瓷）；	K；35；
LM：线性IC；	第三、四位数表			K：TO-3；	L：40；
MM：高压开关；	示：			L：无引线陶瓷载体；	M：48；
NE：SIC产品；	芯片型号。			P：塑料双列；	N：18；
SE： SIC产品。				S：TO-52；	P：20；
				T：TO-5（亦是	Q：2；
				TO-78,TO-99	R：3；
				TO-100）	S：4；
				U：TO-72（亦是	T：6；
				TO-18,TO-71）	U：7；
				V：TO-39；	V：8（引线径0.2"）；
				Z：TO-92；	W：10（引线径0.23"）
				/W：大圆片；	Y：8（引线径
				/D：芯片。	0.2"，4端与壳接)；
					z：10（引线径0.23"，
					5端与壳接）。

该公司已并入HAS公司。

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